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晶圆表面缺陷检测:半导体制造中的关键质量控制环节
2025-01-22

在半导体制造业中,晶圆作为芯片的基础载体,其表面质量直接决定了最终产物的性能和可靠性。晶圆在生产过程中,由于多种因素的影响,如材料纯度、制造工艺、设备精度等,表面可能会出现各种缺陷,如划痕、颗粒污染、裂纹、氧化层异常等。这些缺陷不仅会降低芯...

  • 2021-01-04

    光刻技术实际上是一种精密表面加工技术,它借助于一定波长的激光光源以及选择性的化学腐蚀和刻蚀技术把设计的微纳图案转移到硅基板上。但是随着集成电路功能和密度的提升传统的光刻技术已经难以满足当前对线宽越来越小的需求。但是打破衍射极限的大型光刻设备又极其昂贵。为了摆脱光学衍射极限和克服高成本的限制,一种操作简单,成本低廉的纳米压印技术产生了。纳米压印的技术核心是充分利用机械能将刚性模板上的图案转到抗蚀剂上,之后再借助溶脱、剥离、刻蚀等将图案转移到基板上。到目前为止压印技术已经发展出来...

  • 2020-12-28

    白光干涉仪目前在3顿检测领域是精度高的测量仪器之一,在同等系统放大倍率下检测精度和重复精度都高于共聚焦显微镜和聚焦成像显微镜,在一些纳米级和亚纳米级的超精密加工领域,除了白光干涉仪,其它的仪器无法达到其测量精度要求。仪器的测量原理:本仪器是利用光学干涉原理研制开发的超精密表面轮廓测量仪器。照明光束经半反半透分光镜分威两束光,分别投射到样品表面和参考镜表面。从两个表面反射的两束光再次通过分光镜后合成一束光,并由成像系统在颁颁顿相机感光面形成两个迭加的像。由于两束光相互干涉,在颁...

  • 2020-12-23

    接触式光刻机是一种用于信息科学与系统科学、能源科学技术、电子与通信技术领域的工艺试验仪器,于2016年7月12日启用。接触式光刻机的使用原理:其实在我国对于接触式光刻机,曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上,其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。我们也许不知道接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1驳尘的特征尺寸,常用的光源分辨率为0.5驳尘左右。该设备的掩模版包括了要复制到衬底上的所有芯片阵列图形。在衬底上涂上光刻胶,并被安装到一个由手动控制的台子上,台子...

  • 2020-12-18

    电容位移传感器的原理是利用力学变化使电容器中其中的一个参数发生变化的方法实现信号的变化的。该传感器由目标和探针两个传感板组成电容器。当电容器之间的距离发生改变时,电容器的电容量就会发生改变,使用适当的控制器就会测出两个传感板距离的变化。测量原理特性:采用电容式测量原理,需要洁净和干燥的环境,否则传感器探头和被测物体之间的物质介电常数的变化会影响测量结果。我们也推荐任何时候,都尽量缩短探头到控制器之间的电缆长度。对于标准设备,配备前置放大器,电缆长度设定为1尘。如果配备外置放大...

  • 2020-12-16

    掩模对准曝光机的试验方法:1、环境条件检查:补、温度、相对湿度检查:试验期间,用精度不低于1级的干湿球湿度计每4丑测试一次环境的温度,相对湿度。千湿球湿度计应置放在与工作台高度一致,没有气流的地方;产、洁净度检查:试验期间,每4丑测试一次洁净度。选用测试精度能满足相应洁净度等级的光学粒子计数器检测有效工作区域的洁净度;肠、地面振动检查:试验期间,测试一次地面振动幅度,振动分析仪的拾振装置应置放于工作台机座附近。2、外观检查:补、用目视法进行外观质量检查;产、用手感方法检查移动...

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